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三星開發出新一代高速記憶體晶片
發佈日期:2011/1/6   |   閱讀:2954

三星電子星期二稱,它已經開發出了一種新的電腦記憶體模組,讀寫數據的速度是上一代記憶體晶片的一倍。

三星電子在聲明中稱,它將在2012年開始使用30納米級的技術生產這種新的DDR4 DRAM記憶體模組。

目前DRAM記憶體行業的主流產品是DDR3記憶體模組,其性能比DDR2產品有所提高。三星電子稱,它是DRAM記憶體行業第一個開發出DDR4記憶體晶片的廠商。

三星電子補充說,這種新的記憶體晶片還將把電源消耗減少一半。與DDR3記憶體晶片相比,DDR4記憶體晶片的耗電量是1.2伏,數據傳輸速度為每秒2.133GB。而DDR記憶體晶片的耗電量是1.35伏或者1.5伏,數據傳輸速度為每秒1.6GB




( 來源:賽迪網)

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