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2010年半導體呈現“先高後低”走勢
發佈日期:2011/1/6   |   閱讀:3059

主要DRAM記憶體產品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢,並於5月達到頂點2.72美元。然由於電腦等成品銷售情況不甚理想,使DRAM價格走向跌勢,並於2010年12月下半跌破1美元,僅達0.97美元。
    DRAM價格自2010年6月開始出現跌幅,其價格跌勢預估將持續至2011年第1季,第2季則可望由穀底回升。據記憶體市場研究機構DRAMeXange統計,主要DRAM價格2011年上半仍將維持在1美元以下。因此2011年上半海內外DRAM製造商仍無法避免營收不佳的情況。
    然而據南韓電子新聞報導,三星電子(SAMSung ElectrONics)和海力士半導體(Hynix)等南韓DRAM製造商,將以領先的制程技術繼續強化市場支配能力。
   南韓NH投資證券公司研究員表示,DRAM價格下跌雖然對三星和海力士短期的營收造成影響,但就中長期來說,與其他競爭企業相比,韓廠擁有較先進的制程技術,在價格競爭力上也較佔優勢。
   50奈米制程生產的DRAM至少需以1.2美元金額進行交易才能產生利潤,然40奈米制程產品交易價維持0.8~0.9美元便有利潤產生。三星和海力士40奈米制程DRAM生? ㄓ餼囿?0%,營收雖受影響,但不至於出現赤字。而爾必達(Elpida)、美光(Micron)、南亞等競爭廠目前仍以50奈米制程為主。
   主要DRAM價格2011年上半仍將維持1美元以下價格,許多DRAM製造商上半年將面臨赤字危機。然而南韓證券公司預估,三星和海力士2011年第1季仍各可創下1兆韓元(約8.92億美元)和1,000億韓元(約8,920萬美元= 瑰蝺~利益,形成對比。
   尤其DRAM價格下跌,財務結構受影響的爾必達、美光及南亞等企業將可能正式以購並(M&A)的方式維持正常運作。爾必達2010年12月積極推動與臺3間DRAM製造商進行合併。
   爾必達計畫與力晶、茂德、瑞晶等廠進行統合,以挽回受到DRAM激烈競爭及價格下跌對營收所產生的影響。美光2011年也可能與臺廠進行購並或策略合作。
   南韓業者表示,DRAM製造商爾必達、美光、南亞等將會正式進行合縱連橫,而就中長期來說,三星和海力士等業者將能獲得最終生存權。 
   另一方面,受到東芝(Tochiba)停電效應以及智慧型手機(Smartphone)和平板電(Tablet PC)需求增加等影響,2011年快閃記憶體(NAND Flash)業者也將持續受惠。

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