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Vishay公佈2011年“Super 12”創新元器件
發佈日期:2011/5/19   |   閱讀:2987

日前,Vishay發佈2011年的“Super 12”特色產品。這些元器件具有業界領先的規格標準,如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度範圍和電流等級。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示,是許多關鍵應用的上佳之選,也充分反映出Vishay產品線之豐富。

2011年的Super 12產品如下:

·146 CTI SMD極化鋁電容器——對於汽車應用,通過AEC-Q200認證的146 CTI電容器兼具+125℃的高溫性能、低至0.035ΩESR,及在+125℃下長達6000小時的使用壽命。器件具有從10mmx10mm18mmx21mm8種外形尺寸。

·SiR662DP 60 V N溝道功率MOSFET——在採用PowerPAK SO-8型封裝的60V器件當中,SiR662DP具有業內最低的導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)。器件在4.5V下的導通電阻為 3.5mΩ,比最接近的器件低27%,在4.5V下的FOM105mΩ-nC,比最接近的器件低57%

·IHLP-6767GZ-51功率電感器——IHLP-6767GZ-51是目前市場上具有最高的溫度範圍(高達+155℃)和最高電流等級的表面貼裝功率電感器。器件的頻率範圍高達750kHz,典型DCR低至0.89mΩ,感值低至0.47μH

·45V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器——P600軸向、功率TO-220ABITO-220ABTO-262AATO263AB封裝外,Vishay45V TMBS整流器還具有典型高度只有1.1mm的非常薄的封裝。器件在15A+125℃條件下具有0.39V的正向電壓,最高工作結溫可達+150℃

·ACAS AT薄膜晶片電阻陣列——VishayACAS AT電阻陣列通過了AEC-Q200認證,在單片封裝內具有精度相互匹配的電阻,可用於分壓器和回饋電路。器件每個電阻的功率等級(P70)高達 125mW,潮濕敏感度低於0.5%(85℃85%RH56)TCR跟蹤低至10ppm/K (±5 ppm/K)

·VCNL4000全集成型接近/環境光感測器—— VCNL4000是業內首款將紅外發射器、光敏PIN二極體、環境光探測器、信號處理IC16位元ADC裝進3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm的小尺寸無引線(LLP)表面貼裝封裝內的環境光感測器。這款器件具有佔用空間小的特點,並且具有易用的I2C匯流排通信介面,在各種各樣的消費和工業 應用中能夠大大簡化設計。

·NTC Mini Lug感測器——VishayMini Lug NTC感測器只需要業內最小的65mm2 / 0.1in2安裝空間,回應時間小於4秒,能夠快速和準確地測量-40℃+125℃範圍內的溫度。

·DG9454三端SPDT2:1複用器)——DG94543D快門式眼鏡進行了優化,在2.7V12VV+2.5V+5.5VVL工作電壓範圍內可確保相容1.8V的邏輯電平,小於1μA的功耗能夠大大延長電池壽命。

·TP3TANTAMOUNT模壓外殼SMD電容器——汽車級的TP3具有牢固的結構和低ESR,適用於引擎控制和安全系統。電容器經過了100%的浪湧電流測試,提供業界標準的AE外形尺寸,以及擴大了容值和電壓範圍的新的W外形尺寸。

·600V FRED Pt超快恢復二極體——對於DCMCRMCCM PFC應用,Vishay600V超快恢復二極體能夠提供豐富多樣的功率封裝和高達+175℃的工作結溫,可實現更穩固和更具性價比的設計方案。器件具 有極低的洩漏電流、正向電壓等級,以及QrrTrr。新的“U”系列採用了特殊設計,具有超快的軟恢復時間。

·WSLP WSLTWSLSWSH Power Metal Strip電阻——VishayPower Metal Strip電阻為檢流和脈衝應用提供了增強的功率處理能力和環境性能。WSLT電阻可在+275℃溫度下工作。採用12062818外形尺寸的WSLP WSH電阻分別具有高達1W5W的功率。WSLS具有更好的穩定性,可達0.25%0.5%

·SiZ730DT非對 稱雙晶片功率MOSFET——SiZ730DT將高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸6mmx3.7mmPowerPAIR封裝內,這種封裝比兩片 分立的PowerPAK 1212-8封裝小1/3,比兩片分立的SO-8封裝小2/3,從而節省空間並提高性能。此外,器件的非對稱設計使導通電阻比使用PowerPAK 1212-8封裝的低邊MOSFET30%

本文來源:電子工程專輯

 

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