橫跨多重電子應用領域的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款高集成度移動通信基站晶片。全新STW82100B系列讓移動基礎設施設備製造商能夠以更低的成本滿足市場對更靈活且緊湊的下一代移動網路基站的需求。除無線基站外，新產品還能用於其它設備，包括射頻（RF）儀器和一般無線基礎設施應用。

在移動通信產業內，消費者對寬頻網路服務的需求正在高速增長。移動網路運營商正在加快腳步推出具備更快資料速率（14.4Mbit/s或更高，HSPA/HSPA+）的網路服務。市場對具備更高速度的下一代無線通訊標準3GPP-LTE 的投資也持續增長。市調機構Infonetics Research的最新報告顯示，截至2014年底，LTE（長期演進技術）基礎設施的市場規模將超過110億美元。

意 法半導體的全新STW82100B系列符合設備廠商的高性能和低成本的要求，單片整合了射頻合成器與降頻轉換器等重要的移動通信基站功能。經市場驗證，這 款IC適用於新的移動通信標準，如LTE（長期演進技術）。採用意法半導體的高品質BiCMOS制程，新IC還能滿足移動通信基站廠商全部的重要性能需 求。意法半導體這款以先進制程製造的晶片已被主要基站廠商廣泛採用。

意 法半導體網路和存儲產品部市場總監Flavio Benetti表示：“STW82100B系列產品不但證明了利用矽鍺(SiGe)晶片可有效解決射頻應用問題，並再次顯示意法半導體獨有的BiCMOS 技術的無限潛力。意法半導體採用BiCMOS制程的產品已成功打入各個通信領域，例如為光纖通信應用提供速度高達230GHz FT/ 280GHz FMAX的高速電晶體。”

STW82100B系列（STW82100B, STW82101B, STW82102B及STW82103B）以意法半導體經過市場驗證並被全球基站及其它無線應用廣泛採用的射頻合成器IC（STW81102系列）為基 礎。可支援不同的工作模式，為設計人員帶來很高的靈活性。在接收器端，該晶片可為每個天線通道提供一個專用的本振（LO）頻率發生器，或可用于更加傳統的 天線分集系統。在發送器環回電路內，其優異的增益平坦度和內置的10位數模轉換器（DAC）讓設計人員在驅動外部PIN二極體時可實現最佳的信號校準。

STW82100B的主要特性：

· 高輸入線性

· 8dB轉換增益

· 10.5dB雜訊係數

· 有效避免干擾及假性信號

STW82100B現已量產，採用7 x 7mm VQFPN封裝，意法半導體近期將推出應用評估套件。

本文來源：電子工程專輯