飛思卡爾半導體日前推出兩個LDMOS RF功率電晶體，允許無線基站放大器覆蓋整個分配頻帶中的所有通道。 這兩個高效率電晶體有助於降低運營和資本支出，它們的寬暫態頻寬允許網路運營商改善網路的靈活性。

目 前使用的大部分放大器系統的暫態（視頻）頻寬通常在20到40MHz之間，需要對每個通道使用單獨的功率放大器。然而，日益增長的無線資料流程量要求放大器 系統進行擴展，從而覆蓋完整的無線頻段。飛思卡爾的全新RF功率LDMOS電晶體集高線性、高效率、寬暫態頻寬和大功率特性於一體，可以將暫態信號頻寬擴 展到行業領先的160MHz，從而很好地滿足下一代放大器系統的需求。

飛思卡爾的MRF8P20165WH/S適用於1930到1995 MHz PCS頻帶，而MRF8P20140WH/S適用於1880到2025 MHz TD-SCDMA 頻帶F & A，可通過一個放大器支持相應的無線頻譜。這種能力可以顯著地減少多頻帶基站所需的功率放大器的數量，使網路運營商對器件和設備進行整合，進而降低運營支出。

此 外，新的飛思卡爾LDMOS器件提供了更寬的暫態頻寬，允許網路運營商之間共用網路設備並簡化了升級，從而進一步改善了網路的靈活性。運營商無需升級設備 即可添加/交換頻帶內的頻譜資源。由於寬頻/多頻帶PA通常是獨立於調製格式的，因此運營商通過簡單的軟體改動即可升級到4G LTE和其他無線標準，不需要增加額外的硬體。 這意味著網路運營商可以同時節省資金支出和運營成本。運營商還可以動態地重新配置通道，並通過通道整合來支援越來越高的資料速率。

飛 思卡爾副總裁兼RF事業部總經理Ritu Favre表示，“使用RF功率電晶體在整個無線頻帶上實現出色的線性特性和高效率不只是一種美好的願望；它已經成為了一種必須滿足的需求。我們日前推出 的器件是寬頻RF功率電晶體家族中第一個包含了所有當前的以及新出現的無線頻帶的產品。 每個器件都致力於實現高效率、高線性、高輸出功率特性，從而幫助運營商滿足未來的挑戰。”

飛思卡爾的MRF8P20165WH/S和MRF8P20140WH/S滿足PCS和TD-SCDMA標準的線性需求，同時在放大介於65 MHz (PCS)和140 MHz (TD-SCDMA)之間的多個無線載波時可以實現至少43.7%的功率節省。這兩款器件均採用雙路徑設計，通過將其中一個路徑作為主放大器而另一個作為 峰值放大器可實施Doherty放大器的最終階段。

新RF功率LDMOS器件的關鍵指標：

MRF8P20165WH/S（1930到1995 MHz）

● 平均功率為37 W，輸入信號的峰均比（PAR）為9.9 dB
● 47.7%漏極效率
● 16.3 dB的典型功率增益

MRF8P20140WH/S（1880到2025 MHz）

● 平均功率為24 W，輸入信號PAR為9.9 dB
● 43.7%漏極效率
● 16 dB的典型功率增益

這 兩款器件都可以用於Doherty放大器配置和數位預失真。它們都非常的堅固耐用，能夠以30V電壓、兩倍的建議輸入功率處理10:1 VSWR阻抗失配。電晶體在內部以低電容匹配，可以簡化電路設計，並提供集成的靜電放電（ESD）保護，增強了對裝配線中遇到的寄生電壓的抵抗力。 此外，它們支持-6到 +10V的大柵源電壓範圍，改善了Class C模式下的性能。這些電晶體採用飛思卡爾的NI-780-4和NI-780S-4氣腔封裝。

定價和供貨情況

MRF8P20165WH/S和MRF8P20140WH/S現已提供樣品，預計2011年5月將開始大規模生產。設計人員可以獲得參考設計和其他支持工具。有關樣品和定價資訊，請聯繫當地的飛思卡爾銷售部門。

本文來源：國際電子商情