SanDisk Corporation近日宣佈推出採用全球領先的19納米存儲製造工藝、基於2 bits per cell(X2)技術的64 gigabit(Gb)單塊晶片。此項技術將令SanDisk製造出適用於手機、平板電腦和其他設備的高性能、小尺寸嵌入式和卸除式存放裝置設備。

SanDisk將於本季度推出19納米64Gb X2晶片的樣片，並預計於2011年下半年開始量產。屆時，SanDisk還將在其產品系列中添加一款基於19納米工藝技術製造的3 bits per cell(X3)產品。

SanDisk執行副總裁兼首席技術官Yoram Cedar表示：“通過與製造夥伴東芝(Toshiba)的持續合作，我們非常高興能夠推出基於行業領先的19納米工藝技術的全球最小、成本最低的NAND快閃記憶體晶片。基於該項技術的產品將説明實現新的應用、尺寸和消費者體驗，正是這些應用將快閃記憶體行業的發展推上了新的臺階。(本文來源：電子工程專輯)”

19 納米存儲晶片採用了包括先進的工藝創新和單元設計解決方案在內的、時下最先進的快閃記憶體技術製造工藝。SanDisk的All-Bit-Line(ABL)架 構擁有專用的程式設計演算法和多層式資料儲存管理方案，從而在製造多層單元(MLC)NAND快閃記憶體晶片時不會影響其性能或可靠性。

本文來源：電子工程專輯