全球快閃記憶體卡供應商SanDisk Corporation近日宣佈推出採用全球領先的19納米存儲製造工藝、基於2-bits-per-cell (X2) 技術的64-gigabit(Gb)單塊晶片。此項技術將令SanDisk製造出適用於手機、平板電腦和其他設備的高性能、小尺寸嵌入式和卸除式存放裝置設備。

SanDisk將於本季度推出19納米64Gb X2晶片的樣片，並預計於2011年下半年開始量產。屆時，SanDisk還將在其產品系列中添加一款基於19納米工藝技術製造的3-bits-per-cell (X3) 產品。

SanDisk執行副總裁兼首席技術官Yoram Cedar表示：“通過與製造夥伴東芝 (Toshiba) 的持續合作，我們非常高興能夠推出基於行業領先的19納米工藝技術的全球最小、成本最低的NAND快閃記憶體晶片。基於該項技術的產品將説明實現新的應用、尺寸和消費者體驗，正是這些應用將快閃記憶體行業的發展推上了新的臺階。”

19納米存儲晶片采 用了包括先進的工藝創新和單元設計解決方案在內的、時下最先進的快閃記憶體技術製造工藝。SanDisk的All-Bit-Line (ABL) 架構擁有專用的程式設計演算法和多層式資料儲存管理方案，從而在製造多層單元 (MLC) NAND快閃記憶體晶片時不會影響其性能或可靠性。

本文來源：電子工程專輯