為了滿足半導體應用提高效率和性能的需求，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈收購碳化矽 (Silicon Carbide; SiC) 功率電晶體企業TranSiC公司，擴展其領先的技術能力。

這 項收購為飛兆半導體帶來獲經驗證效率的業界領先雙極SiC電晶體技術、寬溫度範圍下的出色表現，以及超越MOSFET和JFET技術的卓越性能。飛兆半導 體同時借著這項收購獲取經驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊，以及多項SiC技術專利(本文來源：電子工程專輯)。

飛兆半導體公司主席、總裁兼首席執行官Mark Thompson稱：“通過綜合SiC技術和飛兆半導體現有的MOSFET、IGBT和多晶片模組方面的能力，以及位於全球的客戶據點，我們擁有足夠實力，繼續擔當創新性、高性能功率電晶體技術的領導廠商。”

飛 兆半導體首席技術官Dan Kinzer稱：“SiC技術的高性能水準可以大大提高功率轉換效率。它還提供了更高的轉換速度，可以實現更小的終端系統外形尺寸。碳化矽技術在市場已有 一定地位，特別在寬頻隙領域擁有強大優勢，適合需要600V以上電壓的應用，並展示了出色的穩健性和可靠性。”

SiC技術超越其它技術的優勢包括：

·在特定的晶片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降

·較高的電流密度

·較高的工作溫度

·極低的熱阻抗

·僅有多數載流子傳導，具有超快的開關速度

·採用電流增益範圍為100的通常關斷運作(off operation)方式，提供簡便的驅動解決方案

·由於採用正溫度係數電阻元件，可以方便地並聯(本文來源：電子工程專輯)

另外，這類器件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限，並且成功地在25ns的導通和關斷時間範圍內演示了800V下的50A開關運作。這些器件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。

這些高增益SiC雙極器件適合向下鑽探、太陽能逆變器、風能逆變器、電氣和混合動力汽車、工業驅動、UPS和輕軌牽引應用中的大功率轉換應用。市場研究機構Yole Development預計這些市場將於2020年達到接近10億美元的規模。

這 款器件具有業界領先的效率，可將成熟的矽技術器件的相關損耗削減多達50%，或在相同的損耗條件下，將頻率提高多達四倍。SiC器件具有顯著減小的體積、 較少的無源元件，能夠降低總體系統成本和提升價值。對於需要最高效率和功率密度的系統，該器件是無可比擬的首選產品(本文來源：電子工程專輯)。

飛兆半導體正在提供針對目標應用的最高50A額定電流的1200V初始產品的樣品，並將于未來開發具有更寬電壓和電流範圍的產品，繼續推動節能工作。

本文來源：電子工程專輯