在日前於美國加州舉行的2011年台積電技術研討會(Technology Symposium)上，該公司透露了更多有關18英寸晶圓製造計畫的細節。根據業界消息，台積電正全速進軍18英寸晶圓技術領域，主要目的除了降低製造成本，也試圖借此領先諸如Globalfoundries、三星(Samsung)、聯電(UMC)等競爭對手一步。

台 積電進軍18英寸晶圓技術領域還有另一個動機——根據該公司資深研發副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)的說法，一旦進入18英寸晶圓時代，該公司所需的工程師人數也將減少；他在接受EETimes訪問時表示，台積電進入18英寸晶圓製造約需 十年的過渡期，屆時所需的工程師人數會比現在少7,000人。

蔣尚義指出，台積電進軍18英寸晶圓製造有兩個考量：首先，該公司認為隨著時間推移，將越來越難招募到「好的工程師人才」；其次，台積電最後僅需要少數幾座18英寸晶圓廠，就能在未來滿足客戶的需求。與12英寸晶圓廠相較，新一代晶圓尺寸整體生產力預計可增加1.8倍。晶圓廠變少，就不需要那麼多工程師。

另一方面，台積電也預期將增加研發與資本支出，特別是在該公司持續致力於縮短制程技術學習曲線。而估計18英寸晶圓廠營運成本約需100億美元，相關制程設備成本也將飆升。

蔣 尚義表示，台積電的18英寸晶圓製造將起始於20納米制程節點；該公司一開始打算在新竹的Fab12晶圓廠建置一條18英寸晶圓試產線、採用20納米制 程，時程大概在2013到2014年間。而屆時台積電的12英寸晶圓廠也將進入20納米制程；蔣尚義表示，該公司的20納米制程初產事實上也將以12英寸 晶圓廠為主。

接下來，台積電計畫在台中建置首座18英寸晶圓廠，也就是Fab15，量產時程預定在2015到2016年之間。在起步階段，該18英寸晶圓廠會採用20納米制程，然後進入14納米節點；而到14納米節點，台積電打算在電晶體結構上進行轉換。

在20納米及以上節點，台積電將繼續採用傳統以bulk CMOS為基礎的平面電晶體，但從14納米節點開始，該公司將由bulk CMOS轉向FinFET結構。也就是說，未來台積電將在Fab 15進行14納米FinFET的量產。

（本文來源：電子工程專輯）