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盛美12英寸單片清洗技術用於清洗10nm超微顆粒

發佈日期:2011/3/22 | 閱讀:2207

盛美半導體（上海）有限公司日前在中國半導體國際展上發表了十二英寸單片兆聲波清洗設備的最新工藝，本工藝用於45nm技術及以下節點的十二英寸高端矽片清洗。盛美獨家具有自主智慧財產權的清洗技術可以去除數十納米超微小顆粒，同時使矽片表面的材料損失降到最低，並且不影響矽片表面的平整度。
隨著半導體晶片製造進入更小的技術節點，清洗技術的一大挑戰是在控制矽片表面的材料損失以及保護矽片表面平整度的前提下，做到最大限度的減少缺陷密度。當積成電路線寬越變越小，可影響矽片良率的顆粒也越來越小，而顆粒越小越難清洗。在矽片清洗時，如何避免微結構損傷也是一個很具挑戰的難題，這就造成了控制芯片良率的清洗工藝視窗越來越小。
盛美半導體設備公司的創始人、首席執行官王暉博士說： “ 要攻克45納米及以下技術節點的清洗難關，一個理想的解決方案就是平衡物理力量和化學力量。我們的Ultra C單片清洗機是首次能憑藉兆聲波與特定的稀釋化學液，清除數十納米微顆粒，並在客戶生產線上展現出了非凡的微顆粒清除效率與可觀的良率提升。”
盛美獨有的自主智慧財產權技術，“SAPS”（空間交變相移）技術可以控制兆聲波能量在矽片面內以及矽片到矽片之間的非均勻度都小於2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。
盛美的十二英寸Ultra C單片清洗機是量產型設備，用於45納米及以下技術節點，可內置八個清洗腔體，每小時可加工250-350片矽片，相容5種可迴圈利用的化學液體，多家亞洲客戶正在對該設備進行研發及生產評估。
（本文來源：國際電子商情）

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