“我們的多款LTE基站功率放大器已被主流通信設備廠商採用，並已投入到中國運營商的大規模試商用中。”恩智浦半導體高性能RF產品線RF功率及基站產品國際行銷經理潘璠在IIC展臺無限自豪地對本刊記者表示。

作為LDMOS功率放大器的後來居上者，NXP在基站功率放大器市場的份額迅速提升，特別是趕上了中國運營商大規模建網的好時機。當然，這主要得歸功於他們的產品在能效上的明顯優勢，正好滿足了運營商綠色基站的需求。比如此次展會上，他們推出的一款針對2.1GHz WCDMA的ASM-Doherty射頻功率放大器——BLF7G22LS-130/200，通過Polar跟蹤和Doherty+預失真的方式大幅提升效率，在80W的平均輸出功率上，效率可達48%。

另一款針對A+F雙頻段的TD-SCDMA射頻功率放大器——21LS-160P，也已成為中移動基站中的主流產品，一個器件實現Doherty，具有高集成度低成本優勢。在22W的平均輸出功率上效率可達42%。

如 果說過去兩年是NXP在射頻功放市場由弱至強的兩年，那麼未來隨著射頻功放向LTE/4G的高頻發展，NXP的優勢就會更加明顯。“我們在1.8Ghz的 產品上很有信心；在2.3G-2.4G的產品中具有較強的節能優勢；而在3.8Ghz以上的市場基本上就沒有對手了。”潘璠信心十足地表示。

此 次，他們展示了一款頻率為2.5-2.7Ghz，針對LTE、TD-LTE和WiMAX的基站功率放大器——BLFG27LS-90P，同樣採用了高集成 度的單器件Doherty技術，在18W的平均輸出效率上，效率大於42%。另一款針對2.1GHz WCDMA/LTE的基站射頻功放——3xBLF7G22LS-160，則是採用了NXP專利的3路Doherty技術，效率達48%以上，具有16dB 的高增益。“該器件採用了OFDM和64QAM調製方式，具有較高的峰值功率。經大批量生產驗證，具有很好的一致性和高可靠性。” 潘璠說道。

在LDMOS市場獲得成功後，NXP下一步將會推氮化鎵工藝的射頻功放。“隨著開關技術成熟後，可以更好地發揮氮化鎵的高密度與高頻率特性，我們預計這種新工藝的PA在2013/2014年可以商用。”潘璠對本刊記者透露。

本文來源：國際電子商情