| 美國國家半導體公司（National Semiconductor Corp.）宣佈推出三款多通道 PowerWise 10Gbps中繼器，其特點是均衡增益高達36dB，優於所有競爭產品，而且每通道功耗只有55mW，僅為目前市場上其他解決方案的一半。此外，電纜長度也可延長一倍（以24-AWG 電纜為例，傳送距離可長達20米）。這幾款中繼器的推出將進一步鞏固美國國家半導體在高性能模擬技術領域的領導地位。
美國國家半導體的10Gbps中繼器系列採用該公司的第三代SiGe雙極CMOS工藝技術製造，具有接收均衡和發送去加重功能，可為資料中心及高性能通信系統提供通道損耗補償，因此，該系列中繼器晶片可以延長電纜的傳送距離，並將資料頻寬提高至10.3125Gbps，因此適用於符合10 GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI 和 Infiniband 等序列傳輸協定的高速有源電纜組件及FR-4 背板。此外，這幾款中繼器也可支援存儲系統的SAS/SATA頻帶外（OOB）信號傳輸功能。
由於互聯網湧現大量的多媒體內容，加上雲計算及多核虛擬伺服器的出現，令新一代資料中心系統對介面頻寬的要求越趨嚴格。但互連線路的長度沒變，這令功耗及信號完整性成為一個有待解決的問題。有源銅線電纜元件及背板只要內置美國國家半導體的信號調節器便可確保信號完整性，降低系統功耗，相對於光纖電纜方案，大幅降低互連成本。
美國國家半導體10Gbps中繼器令有源銅導線互連方案的功耗僅為市場上其他電纜方案的四分一，而電纜傳送距離則可延長兩倍。美國國家半導體新款中繼器能夠有這樣的優勢，是因為該系列晶片採用全新的SiGe雙極CMOS工藝製造，可以支援較高的頻寬並產生較少雜訊，讓信號抖動和功耗大幅減少。4通道的DS100BR410晶片適用于高密度的連接器如QSFP和CXP，而DS100BR111晶片則適用于單通道的SFP+連接器。
美國國家半導體10 Gbps 中繼器系列
DS100BR410 晶片內含四條單向通道，每通道功耗僅為55mW（典型值），且只需一個2.5V的電源供電。此外，通過每通道上的接收均衡功能（可將信號增強36dB）和發送去加重功能（可將信號減弱9dB），該晶片可以補償通道損耗，延長電纜的傳送距離，這令工程師在為系統佈線時具有更大靈活性。
DS100BR210 晶片內含兩條單向通道，DS100BR111 晶片則包含一條雙向通路（一條為發送通道，另一條則為接收通道），每一通道的功耗都僅為65mW（典型值），這兩款晶片都可採用3.3V 及 2.5V的電源供電。兩款晶片均具備增益高達36dB的接收均衡功能和-12dB 的發送去加重功能。以上三款中繼器均可關斷空閒通道，並可通過引腳或I2C相容的SMBus介面設置信號調節值。
如欲進一步查詢有關美國國家半導體10Gbps中繼器產品系列的資料，可流覽網頁 http://www.national.com/datacom 。
美國國家半導體提供有源銅導線的演示視頻，如欲觀看可流覽網頁 http://tinyurl.com/ActiveCopper 。
(本文來源：電子工程專輯) |
