全球闪存卡供应商SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit(Gb)单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。

SanDisk将于本季度推出19纳米64Gb X2芯片的样片，并预计于2011年下半年开始量产。届时，SanDisk还将在其产品系列中添加一款基于19纳米工艺技术制造的3-bits-per-cell (X3) 产品。

SanDisk执行副总裁兼首席技术官Yoram Cedar表示：“通过与制造伙伴东芝 (Toshiba) 的持续合作，我们非常高兴能够推出基于行业领先的19纳米工艺技术的全球最小、成本最低的NAND闪存芯片。基于该项技术的产品将帮助实现新的应用、尺寸和消费者体验，正是这些应用将闪存行业的发展推上了新的台阶。”

19纳米存储芯片采 用了包括先进的工艺创新和单元设计解决方案在内的、时下最先进的闪存技术制造工艺。SanDisk的All-Bit-Line (ABL) 架构拥有专用的程序设计算法和多层式数据储存管理方案，从而在制造多层单元 (MLC) NAND闪存芯片时不会影响其性能或可靠性。

本文来源：电子工程专辑